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长江存储宣布128层闪存芯片研发成功,每颗1.33Tb

【人工智能网】

4月13日音讯,长江存储本日在官网宣告其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发胜利,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产物上经由过程考证。

 

长江存储示意,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,具有业内已知型号产物中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时宣布的另有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片X2-9060,以满足差别运用场景的需求。

 

据了解,每颗X2-6070 QLC闪存芯片共供应1.33Tb的存储容量。而在I/O读写机能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下完成1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的数据传输速度。

 

长江存储示意,公司用短短3年时候完成了从32层到64层再到128层的逾越。

 

另据财联社报导,估计2020岁尾-2021年中旬连续量产,目的到达月产能10万片;供应链音讯泄漏,这款闪存已送样。

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