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科学家研发2D金属芯片:让储存速度提高100倍

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科学家正在勤奋,愿望开发出下一代数据存储材料,以进步现有存储速率。

 

据英国《天然·物理学》杂志近日宣布的一项研讨,一个美国团结研讨团队应用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子,其可替代硅芯片存储数据,且比硅芯片更麋集、更小、更快,也更节能,同时贮存速率进步了100倍之多。

 

研讨人员对二碲化钨薄层构造施加细小电流,使其奇数层相对于偶数层发作稳固的偏移,并应用奇偶层的分列来存储二进制数据。数据写入后,他们再经由过程一种称为贝利曲率的量子特征,在不滋扰分列的情况下读取数据。

 

与现有的基于硅的数据存储系统比拟,新系统具有庞大上风——它能够将更多的数据填充到极小的物理空间中,而且异常节能。另外,其偏移发作得如此之快,以至于数据写入速率能够比现有手艺快100倍。

 

对超薄层举行异常小的调解,就会对它的功用特征发生很大的影响,而人们能够应用这一学问来设想新型节能装备,以完成可持续发展和更伶俐的将来存储体式格局。

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