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变容二极管型号

【人工智能网】   变容二极管的观点
  变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管",是行使pN结反偏时结电容巨细随外加电压而转变的特征制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一样平常较小,其最大值为几十皮法到几百皮法,最大区容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。

  变容二极管主要参量
  主要参量是:零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中央反向偏压、标称电容、电容转变局限(以皮法为单元)以及截止频率等。

  变容二极管事情原理
  变容二极管(VaractorDiodes)为特殊二极管的一种。当外加顺向偏压时,有大量电流发生,PN(正负极)结的耗尽区变窄,电容变大,发生扩散电容效应;当外加反向偏压时,则会发生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的发生,所以在应用上均供应反向偏压。

  变容二极管也称为压控变容器,是凭据所提供的电压转变而改变结电容的半导体。也就是说,作为可变电容器,可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。

  实在我们可以把它看成一个PN结,我们想,如果在PN结上加一个反向电压V(变容二极管是反向来用的),则N型半导体内的电子被引向正极,P型半导体内的空穴被引向负极,然后形成既没有电子也没有空穴的耗尽层,该耗尽层的宽度我们设为d,随着反向电压V的转变而转变。如此一来,反向电压V增大,则耗尽层d变宽,二极管的电容量C就削减(凭据C=kS/d),而反向电压减小,则耗尽层宽d变窄,二极管的电容量变大。反向电压V的改变引起耗尽层的转变,从而改变了压控变容器的结容量C。达到了目的。

  变容二极管是行使PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通讯等电路中作可变电容器使用。

  变容二极管有玻璃外壳封装(玻封)、塑料封装(塑封)、金属外壳封装(金封)和无引线外面封装等多种封装形式、如图4-18所示。通常,中小功率的变容二极管接纳玻封、塑封或外面封装,而功率较大的变容二极管多接纳金封。常用变容二极管参数。

  变容二极管的应用
  变容二极管是电子可变电容。换句话说,变容二极管表现出来的电容是反偏电势的函数。这种征象导致了变容二极管在一些需要思量电容因素的场所的几种常见应用。图1为一个典型的变容二极管调谐的lc振荡电路。电路耦合电感l2,的作用是当振荡电路被看成射频放大器使用时,将射频信号输人到振荡电路。主要的lc振荡电路包罗主电感l1,和电容c1与cr1的串联电容。除此之外,还要思量普遍存在于电子线路的杂散电容cs。隔直电容和串联电阻的功效前面已经先容过了。电容c2的作用是对调谐电压vin,举行滤波。

  变容二极管的调谐电路

  由于lc调谐的振荡电路的谐振频率是lc的函数,我们发现振荡电路的最大与最小谐振频率之比随着电容比的平方根转变。此处电容比是指反偏电压最小时的电容与反偏电压最大时的电容之比。因而,电路的调谐特征曲线(偏压一谐振频率)基本上是一条抛物线。

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